4，5 半导体材料制备4。5，1 本条对硅.锗材料制备废气治理作出要求。3、高纯三氯氢硅还原尾气中，主要含有氢气、氯化氢和氯硅烷.还原尾气干法回收技术是利用还原尾气中各种组分物理性能,露点。沸点 上的差异，通过加压冷凝 吸收.脱吸。活性炭吸附等物理手段。把尾气中的氢气,氯化氢。三氯氢硅 二氯二氢硅。四氯化硅逐一分开，分别返回主工艺中.四氯化硅通过氯化转变成的三氯氢硅 也返回系统使用、由于还原尾气干法回收系统完全密闭 不外排尾气，分离回收的上述副产物全部返回工艺系统使用。从而达到了回收副产物，变废为用的目的.本规范推荐采用还原尾气干法回收技术，5。硅粉仓、锗精矿仓进。出料产生的粉尘，应设计高效布袋除尘器净化、回收的尘粉即硅粉.锗精矿粉、应返回原料制备车间、6.氧化锗制备过程产生的尾气中含有氯化氢。氯气、应设计氢氧化钠碱液一级淋洗净化，还原锗锭,区熔锗锭腐蚀过程产生含氟化氢、氮氧化物的废气 应设计氢氧化钠碱液两级淋洗，才能使氟化物。氮氧化物达标排放,7 单晶硅，单晶锗酸洗过程产生含氟化氢、氮氧化物的废气.也应设置碱液淋洗装置净化，4.5 2 合成砷化镓时发生石英管爆裂的概率很低,持续时间也很短、最长5min，这种事故发生的时间一般在合成炉升温的前30min和降温的后30min。由于炉内温度高于400。砷会迅速挥发产生三氧化二砷剧毒气体。因此必须设置事故排放的含砷废气处理设施,妥善处理事故排放的含砷废气、三氧化二砷气体是剧毒气体,因此将本条设为强制性条文,必须严格执行。