3,工艺设计3，1.一般规定3,1、1,生产环境宜符合表3，1，1的要求，表3，1 1。生产环境需求表3.1.2 生产过程所使用纯水的电阻率应符合下列规定,1。用于硅片清洗的纯水电阻率不宜低于15MΩ，cm。2、用于硅片划片的纯水电阻率宜在0。5MΩ cm 1MΩ、cm范围内.3、用于电镀工艺的纯水电阻率不宜低于2MΩ。cm、3、1。3.生产过程所使用气体的品质应符合下列规定,1 用于通孔.凸块工序的气体纯度不宜低于99 9999、露点不宜低于，60.2、用于中测,磨片,划片。粘片 焊线 塑封等工序的气体纯度宜在99，99,99。9999 范围内，露点宜在、40,60,范围内.