3、工艺设计3。1 一般规定3,1,1、生产环境宜符合表3，1，1的要求、表3,1。1。生产环境需求表3,1.2，生产过程所使用纯水的电阻率应符合下列规定 1。用于硅片清洗的纯水电阻率不宜低于15MΩ。cm，2。用于硅片划片的纯水电阻率宜在0。5MΩ。cm.1MΩ，cm范围内，3.用于电镀工艺的纯水电阻率不宜低于2MΩ.cm，3,1.3.生产过程所使用气体的品质应符合下列规定.1。用于通孔，凸块工序的气体纯度不宜低于99,9999、露点不宜低于.60 2.用于中测，磨片 划片 粘片 焊线.塑封等工序的气体纯度宜在99.99.99 9999.范围内。露点宜在。40、60。范围内