5 6 硅芯制备及多晶硅产品后处理5，6。1.硅芯制备工艺可采用区熔法拉制和切割法，工艺路线选择应根据硅芯生产规模。能源价格等情况,经技术经济分析比较后确定。5 6，2，采用区熔法拉制硅芯应设置电磁屏蔽.5，6,3,硅芯制备的房间应设置在洁净区内,5 6 4，多晶硅后处理应包括产品运输,破碎,分拣、包装。腐蚀清洗等工序.其中运输、破碎。分拣.包装工序应符合下列规定,1，硅棒破碎系统的位置应根据运输硅棒路径。中间仓库位置及厂房工艺布置确定、并应靠近还原车间 2、硅棒运输车内衬板宜采用耐磨。不吸尘的非金属材料 3 硅棒破碎方式应根据生产规模.物料性能和产品粒度确定 可采用人工破碎或机械破碎，4,破碎工具与产品接触部分、应选用硬度大和强度高的材料 5.破碎系统应设置除尘装置，6，破碎粒度应符合现行国家标准。硅多晶，GB T 12963和。太阳能级多晶硅.GB，T、25074有关块状多晶硅的尺寸范围要求.7 破碎。分拣。包装应设置在洁净区内.5 6。5、腐蚀清洗工序应符合下列规定 1、腐蚀清洗应设置在洁净区内、2、腐蚀清洗室内应设置单独的物料进出口.并应与人员出入口分开 3。供酸室应与腐蚀清洗室分开布置。供酸室应布置在便于酸桶运输的地方,并应采取防护措施，4 腐蚀清洗设备内酸腐蚀部位应设置强制排风，废气应处理达标后再排放。5，输送强酸的管道应采用双层套管。外层宜采用透明聚氯乙烯,PVC 管。